SiPM 光子探测效率计算器

免费 SiPM 光子探测效率计算器 —— 根据量子效率、触发概率与填充因子估算硅光电倍增管 PDE。

901.2K 次使用 最近更新 · 2026-05-11 本地运行 · 零上传
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SiPM 光子探测效率计算器 通过量子效率(QE)、触发概率(Ptrigger)与几何填充因子三项主要参数,快速估算硅光电倍增管的 PDE。

如何使用SiPM 光子探测效率计算器

  1. 选择输入格式 —— 支持百分比(如 40%)或小数(0–1)。
  2. 输入 QE、Ptrigger 与 Fill Factor —— 三项必填参数,PDE 由它们相乘得到。
  3. 可选填写 Vbias 与 Vbreakdown —— 计算器会自动给出过电压 Vov 作为参考。
  4. 读取 PDE 结果 —— 同时显示百分比与小数形式,并展示各因子的贡献。

公式与原理 —— SiPM 光子探测效率计算器

PDE = QE × Ptrigger × FillFactor
Vov = Vbias − Vbreakdown
  • PDE:光子探测效率(Photon Detection Efficiency)
  • QE:量子效率,光子产生电子空穴对的概率
  • Ptrigger:触发概率,载流子引发 Geiger 雪崩的概率
  • FillFactor:几何填充因子,微元光敏面积与总面积之比
  • Vov:过电压(= 偏置电压 Vbias − 击穿电压 Vbreakdown)

SiPM 光子探测效率计算器应用场景

  • 粒子物理探测器 —— 估算闪烁体读出链路中的光产额。
  • 激光雷达与 ToF —— 比较不同 SiPM 型号作为光子计数前端。
  • 医学影像 —— 评估 PET、CT 等低光场景下的探测器选型。
  • 实验室测量 —— 验证实测 PDE 与器件手册是否一致。

关于SiPM 光子探测效率计算器的常见问题

SiPM 中的 PDE 是什么?

PDE 表示入射光子产生可探测雪崩的概率,由量子效率、触发概率和微元阵列的几何填充因子三者共同决定。

为什么 PDE 与过电压有关?

过电压 Vov 升高会提高触发概率,从而提升 PDE,但暗计数率、串扰和后脉冲也会增加,因此存在最佳工作点。

填充因子与有效面积有什么区别?

填充因子是所有微元光敏面积与 SiPM 总面积的比值,反映微元之间的死区。

我的数据会被保存吗?

不会。所有计算都在浏览器本地完成,不会上传到任何服务器。